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C语言模拟面向对象
发表于
2026-01-05
|
更新于
2026-01-07
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嵌入式
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浏览量:
C语言模拟面向对象
文章作者:
zhxy
文章链接:
http://example.com/2026/01/05/Cpro/
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光刻技术
光刻工艺 光刻的要求 分辨率(高) 曝光视场(大) 图形对准精度(高) ——1/3最小特征尺寸 产率(大) 缺陷密度(低) 掩模版制作 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 x1掩模版制作——光刻式 x4或x5投影光刻版——投影式光刻 x4或x5投影光刻版在制版时容易检查缺陷 版上缺陷可以修补 蒙膜保护防止颗粒玷污 通过电子束在光刻胶层写入目标电路图案 对涂覆的光刻胶进行显影,得到与目标图案对应的光刻胶掩模 以光刻胶为掩膜,刻蚀下方的铬层,江图案转移至铬层 剥离剩余的光刻胶,露出铬层上的图案 检测图案的关键尺寸,确保尺寸精度符合要求 验证图案的位置精度,保证各特征的相对位置精确 清洁掩模版表面的残留杂质 检测掩模版上的缺陷(如针孔、多余铬点) 对检测处的缺陷进行修复,保留图案的完整性 在加装防尘膜前,再次清洁掩模版表面 安装防尘膜,避免后续使用中颗粒物污染掩模图案 完成所有工序得到掩模版 三种硅片曝光模式及系统 接触式光刻机 MERCURY LAMP汞灯:提供光刻所需的紫外光源,是图案转移的能量来源 MIRROR反射镜+CONDENSER LE...
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学微电子的破大学生
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