rsl_rl1
rsl_rl库源码解读
Transfer_function
传递函数科普——物理模型与控制算法的桥梁 理论基础 拉普拉斯变换 传递函数建立在拉普拉斯变换基础之上,我们无需深入复变函数，笔者仅在这里总结拉普拉斯变换核心的性质，供大家查阅和理解。
C语言模拟面向对象
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光刻技术
光刻工艺 光刻的要求 分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高） ——1/3最小特征尺寸 产率（大） 缺陷密度（低） 掩模版制作 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 x1掩模版制作——光刻式 x4或x5投影光刻版——投影式光刻 x4或x5投影光刻版在制版时容易检查缺陷 版上缺陷可以修补 蒙膜保护防止颗粒玷污 通过电子束在光刻胶层写入目标电路图案 对涂覆的光刻胶进行显影，得到与目标图案对应的光刻胶掩模 以光刻胶为掩膜，刻蚀下方的铬层，江图案转移至铬层 剥离剩余的光刻胶，露出铬层上的图案 检测图案的关键尺寸，确保尺寸精度符合要求 验证图案的位置精度，保证各特征的相对位置精确 清洁掩模版表面的残留杂质 检测掩模版上的缺陷（如针孔、多余铬点） 对检测处的缺陷进行修复，保留图案的完整性 在加装防尘膜前，再次清洁掩模版表面 安装防尘膜，避免后续使用中颗粒物污染掩模图案 完成所有工序得到掩模版 三种硅片曝光模式及系统 接触式光刻机 MERCURY LAMP汞灯：提供光刻所需的紫外光源，是图案转移的能量来源 MIRROR反射镜+CONDENSER LE...