刻蚀工艺
刻蚀工艺 图形转移 = 光刻 + 刻蚀 两大关键问题： 选择性 $$ S = \frac{r_1}{r_2}$$ $r_1$:待刻材料的刻蚀速率 $r_2$:掩膜或下层材料的刻蚀速率 方向性：各向同性/各向异性 $$A = 1-\frac{r_{lat}}{r_{vert}}$$ $r_{lat}$:横向刻蚀速率。 $r_{vert}$:纵向刻蚀速率。 刻蚀的性能参数 刻蚀速率R 单位时间刻蚀的薄膜厚度。对产率有较大影响 刻蚀均匀性 一个硅片或多个硅片或多批硅片上刻蚀速率的变化 选择性S 不同材料之间刻蚀速率比 各项异性度 刻蚀的方向性：A=0，各向同性；A=1，各向异性 掩膜层下刻蚀 横向单边的过腐蚀量 方向性： 刻蚀要求 得到想要的形状 过腐蚀最小（一般要求过腐蚀10%，以保证整片刻蚀完全） 选择性好 均匀性和重复性好 表面损伤小 清洁、经济、安全 两类刻蚀方法： 湿法刻蚀——化学溶液中进行反应刻蚀，选择性好 干法刻蚀——气相化学腐蚀（选择性好）或物理腐蚀（方向性好），或二者兼而有之。 刻蚀过程包括三个步骤： 反应物质量输运到...
新型光刻技术
新型光刻技术 光刻胶的表征参数 1.对比度： 胶区分亮区和暗区的能力 对比度： $$\gamma = \frac{1}{lg(\frac{D_f}{D_0})}$$ 注：g线和i线胶那样是靠光子一个一个曝光的，DUV胶不是。DUV胶一旦反应开始，则会在催化作用下，使反应进行到底。多以DUV胶从未曝光状态到完全曝光状态的转变更为陡峭，即对比度更大。 一般，g线和i线胶的对比度在2~3,而DUV胶的对比度为5~10。 $\gamma依赖于工艺参数，如：显影液、前hong时间、曝光后及坚膜的温度，光源波长和硅片的表面形貌等。 2.临界调制传递函数： 胶分辨图形所需的最小光学传递函数MTF $$CMTF = \frac{D_f-D_0}{D_f+D_0}=\frac{10^\frac{1}{\gamma}-1}{10^\frac{1}{\gamma}+1}$$ 空间图像与光刻胶对比度结合，直接决定潜像的质量 CMTF<=MTF,胶才能分辨空间图形 g线和i线胶CMTF约为0.4，DUV胶为0.1~0.2 光刻胶的一些问题 1.由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或过曝光...
马尔科夫决策过程
MDP如何定义 一个MDP提供了一种正式方式来描述强化学习问题中的环境，它假设环境满足马尔可夫性质，也就是未来状态和奖励只取决于当前状态和动作，而不依赖于之前的全部历史。 一个MDP由一个包含五个组成部分的元组定义$(S,A,P,R,\gamma)$ 状态空间 (S) 状态空间(S)是环境可能处于的所有状态的集合。 一个重要假设是马尔可夫性质。它表明转移到下一个状态s’的概率只取决于当前状态s和所采取的动作a，与之前所有的状态和动作无关。 如果$S_t$是时间t的状态，且$A_t$是时间t的动作： $$P(S_{t+1}=s’|S_t=s,A_t=a,S_{t-1},A_{t-1},…,S_0,A_0) = P(S_{t+1}=s’|S_t=s,A_t=a)$$ 动作空间(A) 动作空间A是智能体可以从中选择的所有可能动作的集合。有时，可用动作的集合取决于当前状态 s,在这种情况下我们将其表示为 A(s)。动作 a∈A或a∈A(s)是智能体在给定时间步做出的决策。 转移概率函数(P) 转移概率函数P描述了环境的动态特性，常被称为模型。它指定了在智能体采取动作a的情况下，从当前状态...
C语言模拟面向对象
C语言模拟面向对象
光刻技术
光刻工艺 光刻的要求 分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高） ——1/3最小特征尺寸 产率（大） 缺陷密度（低） 掩模版制作 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 x1掩模版制作——光刻式 x4或x5投影光刻版——投影式光刻 x4或x5投影光刻版在制版时容易检查缺陷 版上缺陷可以修补 蒙膜保护防止颗粒玷污 通过电子束在光刻胶层写入目标电路图案 对涂覆的光刻胶进行显影，得到与目标图案对应的光刻胶掩模 以光刻胶为掩膜，刻蚀下方的铬层，江图案转移至铬层 剥离剩余的光刻胶，露出铬层上的图案 检测图案的关键尺寸，确保尺寸精度符合要求 验证图案的位置精度，保证各特征的相对位置精确 清洁掩模版表面的残留杂质 检测掩模版上的缺陷（如针孔、多余铬点） 对检测处的缺陷进行修复，保留图案的完整性 在加装防尘膜前，再次清洁掩模版表面 安装防尘膜，避免后续使用中颗粒物污染掩模图案 完成所有工序得到掩模版 三种硅片曝光模式及系统 接触式光刻机 MERCURY LAMP汞灯：提供光刻所需的紫外光源，是图案转移的能量来源 MIRROR反射镜+CONDENSER LE...
热氧化工艺
1.热氧化工艺介绍 硅工艺中的重要硅基材料： $ SiO_2 $：绝缘栅/绝缘/介质材料； $ Si_3N_4 $: 介质材料，用作钝化/掩蔽等； 多晶硅：可以掺杂，导电； 硅化物：导电，作为接触和互连 $ SiO_2 $与Si之间完美的界面特性是成就硅时代的主要原因 二氧化硅的结构 氧化反应方程式 干氧氧化 $$ Si(s)+O_2(g) -> SiO_2(s) $$ 湿氧氧化 $$ Si(s)+2H_2O(g) -> SiO_2(s) + 2H_2(g) $$ 这两种反应在700°C~1200°C之间进行 水汽氧化比干氧氧化反应速率约高十倍 硅生长动力学 Deal－Grove模型－硅的热氧化模型: 适用于： 氧化温度在700°C~1200°C; 局部压强0.1~25个大气压； 氧化层厚度未20~2000nm的水汽和干法氧化； Deal-Grove模型给出了著名的线性-抛物线生长规律: $$ x^2 + Ax = B(t+\tau) $$ 其中： x: 氧化层厚度 t: 氧化层时间 A：线性常数 B：抛物线常数 $ \tau $:初始氧...